ROHM et Toshiba conviennent de collaborer à la fabrication de dispositifs de puissance
Un projet de ROHM Co., Ltd. (« ROHM ») et Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (« Toshiba Electronic Devices & Storage ») visant à collaborer à la fabrication et à l'augmentation de la production en volume de dispositifs de puissance a été reconnu et sera soutenu par le ministère de l'Économie, du Commerce et de l'Industrie en tant que mesure soutenant l'objectif du gouvernement japonais d'un approvisionnement sûr et stable en semi-conducteurs. ROHM et Toshiba Electronic Devices & Storage réaliseront respectivement des investissements intensifs dans les dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC) et en silicium (Si), renforceront efficacement leurs capacités d'approvisionnement et utiliseront leurs capacités de production respectives de manière complémentaire.
Les dispositifs de puissance sont des composants essentiels pour la fourniture et la gestion de l'alimentation électrique dans toutes sortes d'équipements électroniques, et pour parvenir à une société sans carbone et neutre en carbone. La demande actuelle devrait continuer à croître. Dans les applications automobiles, le développement de groupes motopropulseurs électriques plus efficaces, plus petits et plus légers a progressé en parallèle de l'expansion rapide de l'électrification des véhicules. Une alimentation stable des dispositifs d'alimentation et des caractéristiques améliorées sont importantes dans les applications industrielles pour soutenir l'automatisation croissante et des exigences d'efficacité plus élevées.
Dans ce contexte, ROHM a formulé une vision de gestion, qui consiste à « nous concentrer sur les solutions de puissance et analogiques et visons à résoudre les problèmes sociaux en contribuant aux besoins de nos clients en matière d'économies d'énergie et de miniaturisation de leurs produits », et accélère ses efforts en vue d'un environnement sans carbone. Les dispositifs de puissance SiC sont la clé des économies d'énergie. Depuis la première production de masse de MOSFET SiC au monde, ROHM n'a cessé de développer des technologies de pointe. Parmi celles-ci, les derniers MOSFET SiC de 4e génération de ROHM seront adoptés pour de nombreux véhicules électriques et équipements industriels. Parmi ses projets prioritaires, ROHM travaille sur l'activité SiC, qui comprend des investissements agressifs et continus visant à augmenter la capacité de production SiC et à répondre à la forte croissance de la demande.
Toshiba Group, avec son « Engagement envers les gens et le futur » de longue date, vise à faire progresser la neutralité carbone et l'économie circulaire. Toshiba Electronic Devices & Storage fournit depuis plusieurs décennies des dispositifs de puissance Si, principalement pour les marchés de l'automobile et de l'industrie, qui ont contribué à créer des solutions d'économie d'énergie et une miniaturisation des équipements. L'entreprise a démarré la production sur une ligne de plaquettes de 300 mm l'année dernière et accélère les investissements visant à améliorer la capacité de production et répondre à la forte croissance de la demande. Elle poursuit également le développement d'une gamme plus large de dispositifs de puissance SiC, en particulier pour les applications automobiles et de transmission et de distribution d'énergie, en tirant pleinement parti de l'expertise qu'elle a acquise dans le domaine des applications pour véhicules ferroviaires.
ROHM a déjà annoncé sa participation à la privatisation de Toshiba, bien que cet investissement n'ait pas été le point de départ d'une collaboration manufacturière entre les deux entreprises. Face à l'intensification de la concurrence internationale dans l'industrie des semi-conducteurs, ROHM et Toshiba Electronic Devices & Storage envisagent depuis un certain temps de collaborer dans le domaine des dispositifs de puissance, ce qui a débouché sur une coentreprise.
ROHM et Toshiba Electronic Devices & Storage collaboreront ainsi dans la fabrication de dispositifs de puissance, par le biais d'investissements intensifs dans les dispositifs de puissance respectivement SiC et Si, afin d'améliorer la compétitivité internationale des deux entreprises. Celles-ci chercheront également à contribuer au renforcement de la résilience des chaînes d'approvisionnement en semi-conducteurs au Japon.
Aperçu du plan d'amélioration de l'approvisionnement?
Noms des entreprises |
ROHM Co., Ltd. et LAPIS Semiconductor Co., Ltd.
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Montant total de l'investissement |
388,3 milliards JPY :
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Subvention maximale |
129.4 milliards JPY : 1/3 du montant total de l'investissement |
Sites de production |
Usine n° 2 de LAPIS Semiconductor Miyazaki : dispositifs de puissance SiC et plaquettes SiC, Kaga Toshiba : dispositifs de puissance Si |
Portée |
Capacité de production accrue au Japon pour les dispositifs de puissance SiC et Si et les plaquettes SiC |
À propos de ROHM
Fondée en 1958, ROHM fournit des circuits intégrés et des semi-conducteurs discrets caractérisés par une qualité et une fiabilité exceptionnelles pour un large éventail de marchés, y compris l'automobile, l'industrie et les marchés grand public, par le biais de son réseau mondial de développement et de vente.
Pour plus d'informations sur ROHM, rendez-vous sur www.rohm.com
À propos de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, l'un des principaux fournisseurs de solutions avancées de semi-conducteurs et de stockage, s'appuie sur plus d'un demi-siècle d'expérience et d'innovation pour offrir à ses clients et partenaires commerciaux des semi-conducteurs discrets, des LSI système et des produits HDD exceptionnels.
Pour en savoir plus, rendez-vous sur https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
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