Gallium Semiconductor étoffe son portefeuille avec le premier amplificateur ISM CW
Gallium Semiconductor, célèbre fournisseur de solutions de semi-conducteurs RF GaN, a annoncé aujourd'hui la disponibilité de l'amplificateur ISM CW GTH2e-2425300P, un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) discret GaN-sur-SiC de 2,4-2,5 GHz et de 300 W préapparenté. Le GTH2e-2425300P ouvre la voie à un nouveau niveau d'efficacité pour une large gamme d'applications industrielles, scientifiques et médicales (ISM), dont les sources de plasma pour semi-conducteurs et les équipements de dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes (MPCVD) pour la production de diamants synthétiques.
Roger Williams, président-directeur général de 3D RF Energy Corp, a déclaré : « Le GTH2e-2425300P marque une nouvelle étape en matière de performance et de facilité d'utilisation dans la conception d'alimentations à semi-conducteurs ISM à 2,45 GHz. Son adaptation interne facilite la conception des circuits imprimés, qu'il s'agisse d'une conception à bande étroite de 400 W avec un rendement de 76 % ou d'une conception de 300 W avec un rendement de 72 à 74 % sur l'ensemble de la bande. Il se comporte bien en classe AB et en classe C, et son gain de 17 dB à la puissance saturée simplifie les exigences en matière de circuits d'attaque ».
Opérant dans la gamme de fréquences de 2,4 à 2,5 GHz et alimenté par un rail d'alimentation de 50 V, le GTH2e-2425300P offre un rendement qui redéfinit les références en matière de capacités de puissance RF. Avec un rendement de pointe de 76 % (pulsé, 100 µs, rapport cyclique de 10 %), ce HEMT incarne l'engagement de Gallium Semiconductor dans l'amélioration des performances RF. Les données mesurées révèlent quant à elles une efficacité de drain de plus de 72 % en fonctionnement continu. Un panneau de démonstration à accord fixe peut être commandé par les clients qualifiés.
Angelo Andres, directeur du marketing produit pour les marchés multiples chez Gallium Semiconductor, a déclaré : « Le GTH2e-2425300P symbolise une évolution dans le domaine de l'amplification de puissance RF et souligne notre volonté d'optimiser les performances pour les applications ISM. Les ingénieurs sont à la recherche d'un partenaire solide pour la chaîne d'approvisionnement afin d'assurer la disponibilité et le support des produits à long terme, et c'est exactement ce que Gallium Semiconductor offre avec le GTH2e-2425300P. Nous poursuivrons le renforcement de notre portefeuille pour le marché ISM afin d'aider davantage nos clients ».
Logé dans un boîtier plastique à cavité aérienne ACP-800 4L, le GTH2e-2425300P affiche une excellente fiabilité et d'excellentes performances thermiques (0,67 °C/W) grâce à sa bride Super-CMC (composite à matrice céramique). Il simplifie par ailleurs l'intégration dans divers systèmes, améliorant ainsi le processus de développement pour les ingénieurs RF. Le GTH2e-2425300P est maintenant disponible à la commande. Pour les personnes désireuses d'obtenir les spécifications, les détails des prix et les informations sur les commandes, veuillez contacter : [email protected]
Gallium Semiconductor au salon EuMW
Du 19 au 21 septembre, Gallium Semiconductor participera à la European Microwave Week (Semaine européenne des micro-ondes) à Berlin, stand 469C. Outre le GTH2e-2425300P, Gallium Semiconductor y présentera trois nouveaux produits radar de 250 W en bandes L et S, ainsi qu'un nouvel amplificateur large bande polyvalent de DC à 12 GHz. Rejoignez-nous pour en savoir plus sur les solutions RF GaN de Gallium Semiconductor.
À propos de Gallium Semiconductor :
Gallium Semiconductor est un fournisseur de premier plan de solutions RF GaN avancées, spécialisé dans les dispositifs à haute performance et à haut rendement. En mettant l'accent sur la technologie GaN-sur-SiC, Gallium Semiconductor se consacre à la fourniture de solutions innovantes pour diverses applications, notamment les communications sans fil, les systèmes radar, l'ISM et les communications par satellite.
Pour plus d'informations : www.galliumsemi.com
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